发光装置的P型导电砷化镓晶体

摘要

一种发光装置的Ｐ型导电ＧａＡｓ晶体，包括：导电的砷化镓（ＧａＡｓ）晶体；锌（Ｚｎ），将导电的ＧａＡｓ晶体变成Ｐ型导电的ＧａＡｓ晶体；铟（Ｉｎ），改变被Ｚｎ所变之Ｐ型导电ＧａＡｓ晶体的晶格常数；以及矽（Ｓｉ）或碳（Ｃ），将Ｚｎ与Ｐ型导电ＧａＡｓ晶体在结晶状态结合。

主权项

1.一种发光装置的P型导电砷化镓晶体,包括:导电的砷化镓站(GaAs)晶体;锌(Zn),将导电的GaAs晶体变成P型导电的GaAs晶体,Zn掺入晶体;铟(In),改变被Zn所变之P型导电GaAs晶体的晶格常数;In惨入晶体;以及矽(Si),将Zn与P型导电GaAs晶体在结晶状态结合,S1掺入晶体。2.一种发光装置的P型导电砷化镓晶体,包括:导电的砷化镓(GaAs)晶体;锌(Zn),将导电的GaAs晶体变成P型导电的GaAs晶体,Zn掺入晶体;铟(In),改变被Zn所变之P型导电GaAs晶体的晶格常数,In掺入晶体;以及碳(C),将Zn与P型导电GaAs晶体在结晶状态结合,C掺入晶体。3.如申请专利范围第1项之砷化镓晶体,包含:碳(C),将Zn与P型导电GaAs晶体在结晶状态结合。4.如申请专利范围第1项之砷化镓晶体,其中Si和In浓度的范围是11015≦Si<11016原子/cm3且O