发明名称 反应腔室以及薄膜沉积设备
摘要 本发明提供一种反应腔室以及薄膜沉积设备,反应腔室包括腔室本体和用于承载被加工工件的托盘,在腔室本体内设置有用于承载托盘的承载部件,其特征在于,托盘采用具有导磁性的材料制作;并且,在托盘的下方设置有感应线圈,感应线圈呈漏斗状,且包括以螺旋方式绕制而成的多匝线圈,所述感应线圈的轴线与所述托盘的轴线重合;感应线圈与交流电源连接,借助感应线圈产生的交变磁场在托盘内产生涡电流来加热托盘,进而加热被加工工件。该反应腔室热量损失少,加热效率高,加热均匀,可以提高薄膜沉积设备的加工效率。
申请公布号 CN103510050A 申请公布日期 2014.01.15
申请号 CN201210210297.5 申请日期 2012.06.25
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 叶华;刘菲菲
分类号 C23C14/22(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 C23C14/22(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 彭瑞欣;张天舒
主权项 一种反应腔室,包括腔室本体和用于承载被加工工件的托盘,在所述腔室本体内设置有用于承载所述托盘的承载部件,其特征在于,所述托盘采用具有导磁性的材料制作;并且,在所述托盘的下方设置有感应线圈,所述感应线圈呈漏斗状,并且所述感应线圈包括以螺旋方式绕制而成的多匝线圈,所述感应线圈的轴线与所述托盘的轴线重合;所述感应线圈与交流电源连接,借助所述感应线圈产生的交变磁场在所述托盘内产生涡电流来加热所述托盘,进而加热被加工工件。
地址 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号