发明名称 |
In-Ga-Zn系氧化物溅射靶及其制造方法 |
摘要 |
一种溅射靶,其含有氧化物A和InGaZnO4,所述氧化物A在2θ=7.0°~8.4°、30.6°~32.0°、33.8°~35.8°、53.5°~56.5°、56.5°~59.5°、14.8°~16.2°、22.3°~24.3°、32.2°~34.2°、43.1°~46.1°、46.2°~49.2°和62.7°~66.7°的区域A~K具有衍射峰。 |
申请公布号 |
CN103518004A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201280022417.7 |
申请日期 |
2012.04.27 |
申请人 |
出光兴产株式会社 |
发明人 |
砂川美佐;糸濑将之;西村麻美;笠见雅司 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蒋亭 |
主权项 |
一种溅射靶,其含有下述氧化物A和InGaZnO4,氧化物A:在通过X射线衍射测定(Cukα射线)得到的谱图中,在下述A~K的区域中观测到衍射峰的氧化物,A.2θ=7.0°~8.4°B.2θ=30.6°~32.0°C.2θ=33.8°~35.8°D.2θ=53.5°~56.5°E.2θ=56.5°~59.5°F.2θ=14.8°~16.2°G.2θ=22.3°~24.3°H.2θ=32.2°~34.2°I.2θ=43.1°~46.1°J.2θ=46.2°~49.2°K.2θ=62.7°~66.7°。 |
地址 |
日本东京都 |