| 发明名称 |
发光二极管封装结构 |
| 摘要 |
本发明提供一种发光二极管封装结构，其包括反射杯、发光二极管芯片及封装体。所述反射杯内开设有容置槽。所述发光二极管芯片设置在容置槽的底部。所述封装体包括完全覆盖发光二极管芯片的主导光层及依次层叠在所述主导光层上的至少一个次导光层。所述主导光层的折射率最低。所述次导光层的折射率沿远离底发光二极管的方向依次增高。 |
| 申请公布号 |
CN103515516A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
| 申请号 |
CN201210204833.0 |
申请日期 |
2012.06.20 |
| 申请人 |
鑫成科技(成都)有限公司;深鑫成光电（深圳）有限公司 |
发明人 |
黄星童;康文旗 |
| 分类号 |
H01L33/58(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/58(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管封装结构，其包括反射杯、发光二极管芯片及封装体，所述反射杯内开设有容置槽，所述发光二极管芯片设置在容置槽的底部，所述封装体包括完全覆盖发光二极管芯片的主导光层及依次层叠在所述主导光层上的至少一个次导光层，所述主导光层的折射率最低，所述次导光层的折射率沿远离底发光二极管的方向依次增高。 |
| 地址 |
611731 四川省成都市高新西区天映路168号 |
