双浅沟槽隔离工艺

摘要

本发明公开了一种双浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，对所述衬底进行光刻涂胶和显影；以氮化硅或非定型碳为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽；对其中一个第一道较浅沟槽所在区域进行光刻胶填充，并对另一个第一道较浅沟槽所在区域显影；以光刻胶为阻挡层对另一个第一道较浅沟槽进行进一步刻蚀，形成第二道较深沟槽；将光刻胶灰化去除并进行化学清洗。本发明先利用高质量的掩模版（氮化硅或非定型碳）进行第一道较浅沟槽的刻蚀，又以光刻胶为阻挡层进行第二道较深沟槽的刻蚀，便可以实现双浅沟槽工艺，以光刻胶为阻挡层不仅减少了对光阻及光刻胶厚度的限定，也解决了刻蚀对光阻选择比的问题，进而降低了工艺难度，降低了生产成本。

主权项

一种双浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，对所述衬底进行光刻涂胶和显影；以氮化硅或非定型碳为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽；对其中一个第一道较浅沟槽所在区域进行光刻胶填充，并对另一个第一道较浅沟槽所在区域显影；以光刻胶为阻挡层对另一个第一道较浅沟槽进行进一步刻蚀，形成第二道较深沟槽；将光刻胶灰化去除并进行化学清洗。