发明名称 发光二极管的制造设备与方法
摘要 本发明公开了一种LED的制造设备和方法,所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离,所述设备包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。
申请公布号 CN102388436B 申请公布日期 2014.01.15
申请号 CN200980135714.0 申请日期 2009.09.21
申请人 QMC株式会社;柳炳韶 发明人 柳炳韶
分类号 H01L21/268(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/268(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 林锦辉;陈英俊
主权项 一种LED制造设备,包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的所述激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离,其中,所述多个孔中的每个孔都形成为圆形形状并且所述孔的尺寸是可变的,以在所述半导体层和所述基底之间的界面上形成满足下列公式的圆形形状的所述束斑:1.67×103×T×Ed‑1<R<20×103×T×Ed‑1其中,R表示所述圆形形状的半径m,T表示所述半导体层的厚度m,Ed表示所述束斑的能量密度J/cm2。
地址 韩国京畿道