| 发明名称 | 电阻存储器存储单元的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电阻存储器存储单元的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上提供一底电极和位于底电极上的反应金属层；对所述反应金属层进行氧离子注入，形成具有二元电阻特性的存储介质；在具有二元电阻特性的存储介质表面形成顶电极。采用本发明的制作方法大大提高了存储介质电阻转换性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102299258B | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201010217754.4 | 申请日期 | 2010.06.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 洪中山;何永根 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种电阻存储器存储单元的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上提供一底电极和位于底电极上的反应金属层；对所述反应金属层进行氧离子注入，形成具有二元电阻特性的存储介质；在具有二元电阻特性的存储介质表面形成顶电极；所述反应金属层的厚度为2～100纳米时，所述氧离子注入的能量为200～30000电子伏；剂量为1E14～5E17原子每平方厘米；注入深度为0～100纳米。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||