一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其中具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向阻断特性；通过沟槽上部引入多晶半导体材料，可以降低半导体装置接反向偏压时肖特基结表面的峰值电场强度，从而进一步提高器件的反向阻断特性。本发明还提供了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。

主权项

一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽结构，沟槽位于漂移层中，漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料，沟槽内下部填充有绝缘材料，沟槽内上部填充半导体材料；肖特基势垒结，位于漂移层第一导电半导体材料上表面。