| 发明名称 | 金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法。所述金属硅化物层的形成方法包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。在用于形成金属硅化物层的金属层中加入碲元素，使得金属硅化物层中包括碲元素，降低了金属硅化物层和与之接触的硅材料之间的肖特基势垒。 | ||
| 申请公布号 | CN103515217A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210214745.9 | 申请日期 | 2012.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖海波;鲍宇;平延磊 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属硅化物层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||