发明名称 |
读取数据方法以及数据写入方法 |
摘要 |
本发明实施例提供了一种向NAND闪存写入数据方法以及读取NAND闪存中数据的方法,向NAND闪存写入数据方法包括:将本次写操作需要写入的数据对应的页码转换成相应的逻辑地址与逻辑页地址;确定最新物理地址,从所述最新物理地址的下一物理页地址开始依次将所述本次写操作需要写入的数据写入物理页的数据存储区域,在每写完一物理页后,将写入这一物理页中数据对应的逻辑页地址存储至所述这一物理页的地址存储区域;根据本次写操作中逻辑页地址、物理页地址以及物理块地址的对应关系,对所述链表的原始动态映射页中的对应关系进行更新。采用本发明实施例的写入数据方法可以提高物理页的使用率以及读写NAND闪存的速率。 |
申请公布号 |
CN103514104A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201210216196.9 |
申请日期 |
2012.06.27 |
申请人 |
安凯(广州)微电子技术有限公司 |
发明人 |
庄玉平;艾骏;胡胜发 |
分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种向NAND闪存写入数据方法,其特征在于,包括:A1、将本次写操作需要写入的数据对应的页码转换成相应的逻辑地址与逻辑页地址;A2、确定所述逻辑地址对应的链表的当前链表头在上次写操作中最后被写入数据的物理页的最新物理地址;A3、从所述最新物理地址的下一物理页地址开始依次将所述本次写操作需要写入的数据写入物理页的数据存储区域,在每写完一物理页后,将写入这一物理页中数据对应的逻辑页地址存储至所述这一物理页的地址存储区域,每一物理页包括数据存储区域以及地址存储区域;A4、根据本次写操作中每一逻辑页地址、所述每一逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理页的物理页地址以及所述每一逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理块的物理块地址的对应关系,对所述链表原始的动态映射页中的逻辑页地址与物理页地址和物理块地址的对应关系进行更新,所述动态映射页存储有有效数据对应的逻辑页地址、所述有效数据对应的逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理页的物理页地址以及所述有效数据对应的逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理块的物理块地址的对应关系。 |
地址 |
510663 广东省广州市萝岗区广州科学城科学大道182号创新大厦C1区3楼 |