| 发明名称 | 一种材料外延掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种材料外延掺杂的方法，主要包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。本发明通过改变容器中氢气、甲烷、氮气及硅烷的量的不同，有效地解决现有技术难以控制碳化硅材料高质量掺杂的问题，而且操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整。 | ||
| 申请公布号 | CN103515196A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310374360.3 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 王悦湖;孙哲;张玉明;贾仁需;张义门 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种材料外延掺杂的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||