| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一层间介电层和一第一掺杂碳的硅材料层；形成用于填充铜互连金属的沟槽和通孔；在所述沟槽和通孔的侧壁及底部形成一第一阻挡层；形成一铜互连金属层，以填满所述沟槽和通孔；研磨所述铜互连金属层，以露出所述第一掺杂碳的硅材料层；在所述铜互连金属层上形成一CuSiN层；形成一第二掺杂碳的硅材料层，以覆盖所述CuSiN层和所述第一掺杂碳的硅材料层。根据本发明，可以更为可靠地阻止铜互连金属的扩散效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103515297A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210219550.3 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一层间介电层和一第一掺杂碳的硅材料层；形成用于填充铜互连金属的沟槽和通孔；在所述沟槽和通孔的侧壁及底部形成一第一阻挡层；形成一铜互连金属层，以填满所述沟槽和通孔；研磨所述铜互连金属层，以露出所述第一掺杂碳的硅材料层；在所述铜互连金属层上形成一CuSiN层；形成一第二掺杂碳的硅材料层，以覆盖所述CuSiN层和所述第一掺杂碳的硅材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||