发明名称 | 等离子体刻蚀装置 | ||
摘要 | 一种等离子体刻蚀装置,包括:工艺腔;位于所述工艺腔内的第一电极、第二电极,第一电极与第二电极相对放置,所述第一电极包括至少两块极板;激励射频单元,激励射频单元的数目与极板的数目相等,各个极板与各个激励射频单元一对一电连接,所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量。通过设置所述各个激励射频单元的输出频率不同,或所述各个激励射频单元的发射射频之间存在相位差,或者发射射频的频率、相位均不同,该装置可以避免工艺腔内的电磁波发生相向传播而发生相干性产生驻波。减弱甚至消除工艺腔内的驻波效应,可以获得高密度均匀性的等离子体,达到对大尺寸晶圆的均匀性刻蚀。 | ||
申请公布号 | CN103515178A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
申请号 | CN201210214130.6 | 申请日期 | 2012.06.26 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王冬江;符雅丽;张海洋 |
分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种等离子体刻蚀装置,其特征在于,包括:工艺腔;位于所述工艺腔内的第一电极、第二电极,所述第一电极与第二电极相对放置,所述第一电极位于所述工艺腔的顶部且包括至少两块极板;激励射频单元,激励射频单元的数目与极板的数目相等,各个极板与各个激励射频单元一对一电连接,所述激励射频单元用于通过第一电极的各个极板向工艺腔内的刻蚀气体提供激励能量。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |