具改良的保护覆膜之磁性记录磁碟片

摘要

一种薄膜金属合金磁性记录磁碟片具有一层保护性含氮碳覆膜，其比传统的无氮碳覆膜薄且其拥有较好的抗磨耗性、抗腐蚀性和硬度。存在于该磁碟片覆膜中的氮降低了相当多的膜应力。因为该覆膜的低应力，所以该覆膜在磁碟机操作期间将极不可能会自下面的磁性层上剥离。皱折、或者从另一方面说，磨损。这允许了减少很多的覆膜厚度，因此降低了磁碟机中的磁头 - 磁碟片间距。该覆膜，尽管比先前技艺碳覆膜薄很多，但却比无氮碳覆膜拥有较好的抗磨耗性和抗腐蚀性。此外，当碳覆膜含有氢时，氮的存在，如果其存在一个视氢存在量而定的特定量的话，会增加该膜的硬度。

主权项

1﹒一种薄膜磁性记录磁碟片包括:一片基板;一层包括一种形成于该基板上之钴属合金曲磁性层;及一层包括形成于该磁性层上之碳、氢和氮及具有厚度小于约200埃的保护性覆膜。2﹒根据申请专利范围第1项之该磁碟片,其中该覆膜是一种溅镀沈积的覆膜。3﹒根据申请专利范围第1项之该磁碟片,其中该覆膜是直接形成于该磁性层上。4﹒根据申请专利范围第1项之该磁碟片,其中该覆膜含有数量在约5到25个原子百分比之间的氢。5﹒根据申请专利范围第1项之该磁碟片,其中该覆膜含有数量少于约25个原子百分比的氮。6﹒一种薄膜磁性记录磁碟片包括:一片基板;一层形成于该基板上的金属合金磁性层;及一层形成于该磁性居上具有厚度少于约200埃的保护性覆膜,该覆膜为一种主要包括本质上非品质塑之碳并含有氮的膜。7﹒根据申请专利范围第6项之该薄膜磁碟片,其中该主要为碳的覆膜也含有氢。8﹒根据申请专利范围第6项之该薄膜磁碟片,其中该主要为碳的覆膜含有数量少于约25个原子百分比的氮。9﹒根据申请专利范围第7项之该薄膜磁碟片,其中氢存在数量少于约25个原子百分比且氮存在数量少于约15个原子百分比。10﹒根据申请专利范围第7项之该薄膜磁碟片,其中氢存在数量少于约5个原子百分比且氮存在数量少于约25个原子百分比。11﹒根据申请专利范围第6项之该薄膜磁碟片,其中该基板是单晶矽。12﹒根据申请专利范围第6项之该薄膜磁碟片,其中该基板是一种具有一层NiP表面镀层的铝合金磁碟片。图示简单说明j图1是,对以电浆CVD和溅镀所制作之膜而言,含氮氢化碳膜之应力为该膜中氮含量之函数的图形;及4图2是,对含不同氢含量之膜而言,含氮氢化碳膜之硬度的图形。