一种半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成金属栅极结构的栅沟槽；对所述栅沟槽执行第一金属沉积步骤；对所述栅沟槽执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤，以扩大所述栅沟槽的开口尺寸；对所述栅沟槽执行第二金属沉积步骤。根据本发明，通过在使用铝金属对栅沟槽进行填充时以形成栅极的过程中，进行一轮或者多轮的“金属沉积步骤-执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤-金属沉积步骤”过程，可以避免在金属间隙填充物中产生空洞，进而降低产品的合格率的问题。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成金属栅极结构的栅沟槽；对所述栅沟槽执行第一金属沉积步骤；对所述栅沟槽执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤，以扩大所述栅沟槽的开口尺寸；对所述栅沟槽执行第二金属沉积步骤。