| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有若干沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层，所述绝缘层的表面与半导体衬底表面齐平；位于相邻沟槽之间的半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部包括：位于外层的第一子鳍部，以及由第一子鳍部包裹的第二子鳍部，所述第二子鳍部的材料的晶格常数大于所述第一子鳍部。所述半导体器件及鳍式场效应管的性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN103515420A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210214114.7 | 申请日期 | 2012.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金;刘佳磊 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有若干沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层，所述绝缘层的表面与半导体衬底表面齐平；位于相邻沟槽之间的半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部包括：位于外层的第一子鳍部，以及由第一子鳍部包裹的第二子鳍部，所述第二子鳍部的材料的晶格常数大于所述第一子鳍部。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||