半导体器件的侧墙形成方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件的侧墙形成方法，包括：提供半导体器件的侧墙形成前结构；在该侧墙形成前结构中的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一氮化硅侧墙；在第一氮化硅侧墙外依次形成第二氧化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以去除硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分第二氧化硅侧墙、部分第一氮化硅侧墙和部分第一氧化硅侧墙。与现有技术相比，本发明不会出现竖起侧翼，使得伪多晶硅栅极结构之间的空间的深宽比得以减小，且呈现顶部开口大于底部的形状，随后所沉积的层间介质层中不会产生空隙，对后期的CMP过程乃至接触孔的制造奠定了良好的条件基础。

主权项

一种半导体器件的侧墙形成方法，其特征在于，包括：提供半导体器件的侧墙形成前结构，所述侧墙形成前结构包括：衬底，所述衬底中由浅沟槽隔离结构隔离出的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区上形成的伪多晶硅栅极，所述伪多晶硅栅极上沉积的硬掩膜；在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧依次形成第一氧化硅侧墙和第一氮化硅侧墙；在NMOS区和PMOS区的伪多晶硅栅极两侧的第一氮化硅侧墙外依次形成第二氧化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；采用湿法刻蚀或者湿法与干法相结合的刻蚀方法，对器件表面进行刻蚀，以去除硬掩膜、部分第二氮化硅侧墙、部分第二氧化硅侧墙、部分第一氮化硅侧墙和部分第一氧化硅侧墙。