背沟道蚀刻金属氧化物薄膜晶体管和工艺

摘要

本公开涉及背沟道蚀刻金属氧化物薄膜晶体管和工艺。提供一种制造有机发光二极管OLED显示器的方法。该方法包括形成包括第一和第二金属层的薄膜晶体管TFT基板。该方法还包括在第二金属层上沉淀第一钝化层和在沟道区域和存储电容器区域上形成第三金属层。第三金属层构造为连接到第二金属层的第一部分，第二金属层的第一部分构造为在穿过栅极绝缘体和第一钝化层的第一通孔中连接到第一金属层。该方法还包括在第三金属层上沉积第二钝化层和在第二钝化层上形成阳极层。阳极构造为连接到第三金属层的第二部分，第三金属层的第二部分构造为在第一钝化层和第二钝化层的第二通孔中连接到第二金属层。

主权项

一种制造有机发光二极管OLED的方法，该方法包括：形成薄膜晶体管TFT基板，TFT具有由第一金属层形成的栅电极、由第二金属层形成的源电极和漏电极，其中第二金属层与第一金属层通过栅极绝缘层分隔开，沟道区域位于源电极和漏电极之间；在第二金属层上沉积第一钝化层；在沟道区域和存储电容器区域上形成第三金属层，第三金属层构造为连接到第二金属层的第一部分，第二金属层的第一部分构造为在穿过栅极绝缘体和第一钝化层的第一通孔中连接到第一金属层；在第三金属层上沉积第二钝化层；在第二钝化层上形成阳极层，阳极构造为连接到第三金属层的第二部分，第三金属层的第二部分构造为在第一钝化层和第二钝化层的第二通孔中连接到第二金属层，第三金属层的第一部分与第三金属层的第二部分通过第二钝化层分隔开。