CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器制造方法，包括提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；形成覆盖所述衬底和n型膜层的p型外延层；在所述外围区域和像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环，并形成与所述n型隔离环电连接的导电插塞，所述导电插塞与高电位电连接；形成外围区域电路和像素单元区域器件。相应地，本发明还提供利用上述方法所形成的CMOS图像传感器。本发明所提供CMOS图像传感器及其制造方法可以有效隔离外围电路中产生的噪声，并且可以吸收像素单元区域的浮动电子，从而提高CMOS图像传感器的成像质量。

主权项

一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括：提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；形成覆盖所述p型衬底和n型埋层的p型外延层；在所述外围区域和像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；所述n型隔离环与所述n型埋层相连接；形成外围区域电路和像素单元区域器件。