| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述栅极结构；回蚀刻所述牺牲层；在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层和一具有用于形成实施LDD注入的工艺窗口的图形的光刻胶层；将所述图形转移到所述底部抗反射涂层和所述牺牲层中；去除所述具有所述图形的光刻胶层；以所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层为掩膜，执行一LDD注入过程；去除所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层。根据本发明，可以改善实施LDD注入工艺的工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN103515241A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210219600.8 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；b)在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述栅极结构；c)回蚀刻所述牺牲层；d)在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层和一具有用于形成实施LDD注入的工艺窗口的图形的光刻胶层；e)将所述图形转移到所述底部抗反射涂层和所述牺牲层中；f)去除所述具有所述图形的光刻胶层；g)以所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层为掩膜，执行一LDD注入过程；h)去除所述半导体衬底上残留的牺牲层和底部抗反射涂层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||