| 发明名称 | 一种高纯碳化硅原料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。 | ||
| 申请公布号 | CN103508454A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210202086.7 | 申请日期 | 2012.06.19 |
| 申请人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 |
| 分类号 | C01B31/36(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 彭茜茜 |
| 主权项 | 一种高纯碳化硅原料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400‑2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600‑1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800‑1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路215号 | ||