为了改善制法边界的双曝光半导体制法

摘要

本发明提供一种为了改善小特征图案尺寸处的制法边界的双曝光半导体制法。在一第一处理序列期间，会形成用以定义一多晶硅互连结构的非关键维度的特征图案，而该多晶硅层的其它部分则保持不被处理。在一第二处理序列期间，会形成用以定义该多晶硅互连结构的关键维度的特征图案，而不需要执行一光阻调整程序。据此，仅会执行一道刻蚀制法，其会提供较高分辨率的处理，用以创造在该第二处理序列期间所需要的关键维度。

主权项

一种用于在一原始材料内形成几何图案的方法，其包括：将该原始材料的一光阻层的一第一部分曝光在一第一几何图案中；显影该光阻层，用以在该原始材料内产生该第一几何图案；调整该光阻层，用以缩小该第一几何图案，同时保持该光阻层的第二部分不溶解于该调整；将该光阻层的第二部分曝光在一第二几何图案中；显影该光阻层，用以在该原始材料内产生该第二几何图案；刻蚀该原始材料，用以将该等第一几何图案和第二几何图案转印至该原始材料的一多晶硅层；以及其中，该第二几何图案的产生方式于将该光阻层的该第二部分曝光在该第二几何图案中之后并不需要调整该光阻层，其中，该第一几何图案定义多晶硅互连结构，该多晶硅层互连结构接触由该第二几何图案所定义的多晶硅接触壳层，其中，该多晶硅互连结构具有比未经调整的该多晶硅接触壳层的宽度还小的宽度。