一种晶体硅太阳能电池发射结的制备方法

摘要

晶体硅太阳能的电池发射结的制备方法，先在硅片绒面预沉积或预生长一定厚度的缓冲层；注入掺杂离子；将注入掺杂离子的硅片在氮气气氛中退火；保持炉内温度不变，通入氧气，在硅片表面生长热氧化层，钝化发射结；所述的缓冲层为SiNx、SiOxNy或SiO2，缓冲层厚度控制在5-20纳米范围内所述的沉积的缓冲层使用化学气相沉积法、溅射以及热氧化法等具有低温、低损伤特点的薄膜沉积生长。本发明与常规离子注入结合退火工艺制作晶体硅太阳能电池发射结相比，有效去除离子注入引发的晶格损伤，降低沟道效应，提高退火过程中热氧化钝化发射结的质量，有效抑制结区漏电流，明显改善电池的开路电压Voc及反向电流Irev2，提高电池性能。

主权项

一种晶体硅太阳能的电池发射结的制备方法，其特征是先在硅片绒面预沉积或预生长一定厚度的缓冲层；注入掺杂离子；将注入掺杂离子的硅片在氮气气氛中退火；保持炉内温度不变，通入氧气，在硅片表面生长热氧化层，钝化发射结；所述的缓冲层为SiNx、SiOxNy或SiO2，缓冲层厚度控制在5‑20纳米范围内。