| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够实现生产效率进一步提高的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法，具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去功能层形成用基板而使功能层露出的工序；在露出的功能层上贴合最终基板的工序；和将临时固定层和转印用基板从功能层分离的工序，其中，对于临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103515279A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310247086.3 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 秋月伸也;杉村敏正;宇圆田大介;松村健 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王玉玲 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去所述功能层形成用基板而使所述功能层露出的工序；将最终基板贴合于露出的所述功能层的工序；和将所述临时固定层和所述转印用基板从所述功能层分离的工序，其中，对于所述临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N‑甲基‑2‑吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||