| 发明名称 | 具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法。具体而言，使用等离子体刻蚀在构成膜电极组件的催化剂层的表面上的催化剂载体中形成具有高高宽比的纳米图案。之后在形成于催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103515623A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210482803.6 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社;韩国科学技术研究院 | 发明人 | 洪普基;金世勋;文明芸;李光烈;吴奎焕;许殷奎 |
| 分类号 | H01M4/88(2006.01)I;H01M4/86(2006.01)I;H01M8/10(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种制造具有增强疏水性的膜电极组件的方法，包括：通过等离子体刻蚀在构成所述膜电极组件的催化剂层的表面上的催化剂载体中形成具有高高宽比的纳米图案；以及在形成于所述催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||