| 发明名称 | 半导体结构及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构位于一基底的一凹槽中。半导体结构包含有一衬垫层、一富硅层以及一填充材料。衬垫层位于凹槽的表面。富硅层位于衬垫层上。填充材料位于富硅层上并填满凹槽。此外，本发明也提出一种半导体制作工艺用以形成前述的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103515285A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210223143.X | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘志建;张家隆;陈哲明;李瑞珉;林育民 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，位于一基底的一凹槽中，该半导体结构包含有：衬垫层，位于该凹槽的表面；富硅层，位于该衬垫层上；以及填充材料，位于该富硅层上并填满该凹槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||