| 主权项 |
1.一种快速退火处理机台之温度校正方法,其包含下列步骤:(a)针对控片之不同晶背状况,各做出温度与控片矽化物阻値比値对照图;(b)使用与产品晶片背面相同之控片,放入快速退火处理机台(RTP)中,并设定欲退火处理之温度及某一发射率(Emissivity);(c)量测矽化物薄膜在热处理后的阻値比値,再利用该种晶背之温度与矽化物阻値比値对照图,得到RTP机台实际温度;以及(d)由实际温度与RTP机台中的光学测温器(Pyrometer)所测得之温度两者间的差异,即可校正设定之发射率,而达到控制RTP机台内温度之目的。2.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中之控片为与产品晶片(wafer)背面相同,但正面仅镀上矽化物之控制片。3.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中针对晶片不同晶背状况,乃是指是否有复晶矽层,是否掺杂(Doped),及其厚度等。4.如申请专利范围第4项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中温度与矽化物阻値比値对照图是利用化学气相沈积(chemical vapor deposition; CVD)之高温金属矽化物,在热处理后,其阻値随温度之上升而下降之原理而做出。5.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中之化学气相沈积之高温金属矽化物,可为CVD WSix。6.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中控片数目为二,各在两不同温度下,求出热处理后的阻値比値。7.如申请专利范围第6项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中欲退火处理之温度及发射率的设定,由快速退火处理机台为之。8.如申请专利范围第6项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中欲退火处理之温度的设定,亦可直接从加热系统之功率(power)决定之。9.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,该发射率为物质表面的特性,其値为与理想黑体比较后所得之固定値。10.如申请专利范围第1项所述之快速退火处理机台之温度校正方法,其中乃利用控片所测得之实际温度当标准温度,而来调整控片背面发射率之设定,以使机台上的光学测温器读数与控片温度相同。第一图系为相同温度及发射率设定下,不同晶背条件,其阻値变化与设定温度关系。 |
