突波吸收器及其制造方法

摘要

本发明为使用微小导电硅片的小型、廉价的突波吸收器。在本发明中，先在导电硅薄板的表面刻出纵横交错的缝隙沟，形成许多突出的正方形，在其表面形成酸化膜。对各个缝隙沟的部分进行切割从而切割出许多导电硅片。带有阶梯部分的上述正方形突起的高度即成为微缝隙。把该导电硅片以及与之相连的相对电极装入玻璃管内，并在减压供给惰性气体后用玻璃密封。由于正方形突起的高度成了微缝隙，发生一次放电，因此无放电迟缓现象。

主权项

1.一种突波吸收器的制造方法,其特征在于:在电阻値为0.01-1,000.cm的导电薄板的表面用滚刀刻出一定深度的纵横交错的缝隙沟,在呈围棋盘格状的正方形突起上形成绝缘保护膜,接下来用更薄的滚刀切割纵横交错的各个缝隙沟从而切割出许多正方形蕊片,把形成相对的电极的二根包铜之铁镍合金线与上述的正方形蕊片的绝缘保护膜一侧及相对的一侧相连后插入玻璃管内,再向上述玻璃管中减压供给氩气等惰性气体后,用玻璃进行密封。2.一种依据申请专利范围第1项之制法形成之突波吸收器,其特征在于:导电片上的正方形突起上附有一层氧化保护膜从而形成缝隙区域,由包铜的铁镍合金导线构成的电极分别与上述正方形突起的表面以及上述的导电片底面相连之后装入玻璃管内,然后向玻璃管内减压供给惰性气体后再用玻璃密封。图1是本发明的突波吸收元件的断面图。图2是导电硅薄板的斜视图。图3是在硅薄板的表面刻上纵横交错缝隙沟之示意图。图4是着缝隙沟把导电硅薄