一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。本发明不需要正反面进行两次镀膜，同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序，而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果，最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。

主权项

一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其特征在于：石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。