| 发明名称 | 半导体结构及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一功函数金属层、一（功函数）金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。（功函数）金属氧化层位于功函数金属层上。主电极位于（功函数）金属氧化层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，用以形成上述的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103515421A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210217772.1 | 申请日期 | 2012.06.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡旻錞;黄信富;许启茂;林进富;陈健豪;陈威宇;孙启原;谢雅雪;郑存闵 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含有：功函数金属层，位于一基底上；功函数金属氧化层，位于该功函数金属层上；以及主电极，位于该功函数金属氧化层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||