垂直存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种垂直存储器件及其制造方法，所述垂直存储器件能够使单元尺寸最小化、并且改善电流驱动能力。所述垂直存储器件包括公共源极区和形成在所述公共源极区上、并且沿着第一方向延伸的源极区。沟道区形成在每个源极区上，所述沟道区沿着第一方向延伸。沟槽形成在沟道区之间。漏极区形成在每个沟道区上。导电层形成在每个沟道区的侧面上，所述导电层沿着第一方向延伸。数据储存材料形成在每个漏极区上。

主权项

一种垂直存储器件，包括：公共源极区；源极区，所述源极区形成在所述公共源极区上，并且沿着第一方向延伸；沟道区，所述沟道区形成在每个所述源极区上，并且沿着所述第一方向延伸；沟槽，所述沟槽形成在所述沟道区之间；漏极区，所述漏极区形成在每个所述沟道区上；导电层，所述导电层形成在每个所述沟道区的侧面上，并且沿着所述第一方向延伸；以及数据储存材料，所述数据储存材料形成在每个所述漏极区上。