发明名称 |
一种EMMC芯片寿命检测方法 |
摘要 |
一种EMMC芯片寿命检测方法,所述方法包括步骤:当flash空闲存储块足够写入数据时,将数据写入EMMC芯片;上层应用程序通过对EMMC芯片写入不同大小的文件来获取底层反馈的实际写入大小,求出各种大小文件的数据缓冲率,再通过统计android系统中所有应用程序在单位时间内对EMMC存储的使用、每个应用写入文件大小及次数计算出EMMC芯片的寿命。本发明可以于检测应用对flash读写是否合理、系统中所有应用对EMMC的使用状况,同时测试不同文件系统对于文件写入的缓冲情况,提高系统的健壮性,对于EMMC芯片寿命的预测,可以在其寿命将要终止时提示用户更换芯片,防止设备读写出现问题及数据的安全。 |
申请公布号 |
CN103514958A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201210589306.6 |
申请日期 |
2012.12.31 |
申请人 |
TCL集团股份有限公司 |
发明人 |
罗宏选;张航志 |
分类号 |
G11C29/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 |
代理人 |
王永文;杨宏 |
主权项 |
1.一种EMMC芯片寿命检测方法,其特征在于,包括如下步骤:A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量;B、写入数据到EMMC芯片,判断flash空闲存储块是否足够写入数据,当flash空闲存储块足够写入数据时,将数据写入EMMC芯片;C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的写入次数N<sub>1</sub>、小于2个连续块的写入次数N<sub>2</sub>,直至小于n个连续块的写入次数N<sub>n</sub>;D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于1个块的数据缓冲率K<sub>1</sub>、小于2个块的数据缓冲率K<sub>2</sub>,直至小于n个连续块的数据缓冲率K<sub>n</sub>;E、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述N<sub>1</sub> 、N<sub>2</sub>、……N<sub>n</sub>参数、数据缓冲率K<sub>1</sub>、K<sub>2</sub>……K<sub>n</sub>参数计算出EMMC芯片的寿命为单<img file="154304DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="156" he="49" />位时间。 |
地址 |
516001 广东省惠州市鹅岭南路6号TCL工业大厦8楼技术中心 |