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<p>Viene descritto un dispositivo di comando a semiconduttore con limitazione di intensità di corrente integrata e disinserzione in caso di sovratemperatura. Esso comprende, fra l'altro, un segmento di circuito formato da una quantità di celle di regolazione che agiscono in parallelo, dove, in presenza di limitazioni di intensità di corrente attiva, determinate celle di regolazione disposte nelle immediate vicinanze di un elemento che rileva la temperatura del chip, subiscono un carico di corrente specificamente più elevato che in tutti gli altri.Il dispositivo di comando presenta il vantaggio di reagire in modo più sicuro e più rapido di una disinserzione in caso di sovratemperatura e rende superflua una limitazione della capacità di carico di corrente del segmento di circuito vero e proprio allo scopo di favorire una funzione limitatrice di sovratemperatura. In questo modo, da un lato, si ottiene una maggiore affidabilità e una migliore resistenza al corto circuito e, dall'altro lato, si può aumentare la corrente di contatto utilizzabile in dipendenza della superficie del chip e la potenza di rottura.</p> |
