半导体器件场氧化层的形成方法

摘要

本发明公开了一种形成半导体器件场氧化层的方法，该方法通过蚀刻预定部分的硅基片、形成场氧化层和在经腐蚀的硅基片上形成单晶硅层可以最大限度地减少鸟嘴。

主权项

1.半导体器体场氧化层的一种形成方法，其特征在于，它包括下列步骤：在硅基片上形成第一热氧化层，再在第一热氧化层上形成光致抗蚀剂图形，然后除去一部分暴露出来的所述第一热氧化层和硅基片；除去所述第一热氧化层和光致抗蚀剂图形，然后在得出的结构面上依次形成第二热氧化层、多晶硅层和氮化层；通过除去一部分所述氮化层，显露所述多晶硅层，再在所述硅基片上形成沟道截断环；进行热氧化处理，从而形成场氧化层；和除去所述氮化层、多晶硅层和第二热氧化层，然后在所述露出来的硅基片上形成单晶硅层。