发明名称 |
薄膜电晶体及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜电晶体的制造方法,包括:于基板上形成闸极;于基板上形成闸绝缘层以覆盖闸极;于闸绝缘层上形成氧化物半导体层;于氧化物半导体层之部分区域上形成半透光层;以此半透光层为罩幕,进行光学退火制程以使氧化物半导体层转化为一氧化物通道层以及二欧姆接触层,其中氧化物通道层位于半透光层下方,而欧姆接触层位于氧化物通道层两侧并与氧化物通道层连接;以及于闸绝缘层与欧姆接触层上形成彼此电性绝缘之源极与汲极。 |
申请公布号 |
TWI423346 |
申请公布日期 |
2014.01.11 |
申请号 |
TW099136504 |
申请日期 |
2010.10.26 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
林武雄;孙铭伟 |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |