半导体装置的制造方法

摘要

本发明是揭露一种半导体装置的制造方法，可改善其性能。上述方法包含：提供一基底，其具有一第一区与一第二区；在上述第一区与上述第二区区中，分别形成至少一第一隔离区与至少一第二隔离区，上述至少一第一隔离区具有一第一深宽比(aspect ratio)，上述至少一第二隔离区具有一第二深宽比；执行一高深宽比沈积制程，以在上述基底的上述第一区与上述第二区上形成一第一层；从上述第二区移除上述第一层；以及执行一高密度电浆沈积制程，以在上述基底的上述第一区与上述第二区上形成一第二层。