氢离子感测场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明系为一种氢离子感测场效电晶体及其制造方法，其包括半导体基材、绝缘层、电晶体闸极以及感测薄膜层。半导体基材上定义有闸极范围，并且具有源极区及汲极区。绝缘层是形成于半导体基材上之闸极范围内，而电晶体闸极则是设置于闸极范围内并且具有第一闸极导电层，而第一闸极导电层系为铝金属层并且定义有感测窗区域于其上。感测薄膜层系形成于感测窗区域内，其中感测薄膜层系为由第一闸极导电层氧化而成之一层氧化铝层。由于本发明可无须藉由额外的薄膜沉积制程即可生成出感测薄膜层，因此可简化制程。