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经营范围
发明名称
半导体积体电路装置
摘要
目的在于提供具备低成本、可以低电压高速动作的I/O电路的半导体积体电路装置。;着眼于I/O电路之中,I/O电压vcc(例如3.3V)被低电压化为vcc_18(例如1.8V)时,引起速度恶化之部分为位准转换部及主要之大型缓冲器之驱动用前置缓冲器部分,藉由对位准上升转换器LUC及前置缓冲器PBF之电路施加高电压(电压vcc)而实现低成本、可以低电压高速动作的I/O电路。
申请公布号
TWI423395
申请公布日期
2014.01.11
申请号
TW095113955
申请日期
2006.04.19
申请人
瑞萨电子股份有限公司 日本
发明人
菅野雄介;田中一雄;丰嶋俊辅;户羽健夫
分类号
H01L21/8238
主分类号
H01L21/8238
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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