发明名称 雷射加工方法及半导体晶片
摘要 本发明系提供一种雷射加工方法,将形成含有多数个功能元件的积层部之基板加以切断之时,尤其可以高精度来切断积层部。;在将保护胶带(22)黏贴在积层部(16)之表面(16a)后的状态下,藉由将基板(4)之背面(4b)作为雷射光射入面来照射雷射光(L),使改质领域(7)沿着切断预定线(5)而确实地形成于基板(4)之内部,并产生从改质领域(7)的表面侧端部(7a)到达基板(4)之表面(4a)的龟裂(24)。产生如此之龟裂(24)的状态下,将扩张胶带(23)黏贴在基板(4)之背面(4b)并加以扩张时,不仅基板(4)且切断预定线(5)上之积层部(16),即层间绝缘膜(17a,17b)沿着切断预定线(5)可精度良好地切断。
申请公布号 TWI422451 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW100146226 申请日期 2005.11.11
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 日本 发明人 杉浦隆二;坂本刚志
分类号 B23K26/00;H01L21/00 主分类号 B23K26/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本