具极低电容之横向暂态电压抑制器

摘要

本发明系揭露一种具极低电容之横向暂态电压抑制器，其系包含一第一型基板与一设于第一型基板中之至少一二极体串接结构，此二极体串接结构更包含至少一第二型轻掺杂井区与至少一第一型轻掺杂井区，且第二型轻掺杂井区与第一型轻掺杂井区分别皆有二重掺杂区设于其中。二极体串接结构系与一第二型井区相邻，且有三重掺杂区设于第二型井区中，此外，抑制器更包含复数深沟渠隔离结构，其系设于第一型基板中，且其深度较第二型轻掺杂井区、第二型井区、第一型轻掺杂井区更深，使每一井区藉由一深沟渠隔离结构相互隔离。