发明名称 三维电路的制造方法
摘要 本发明系一种三维电路的制造方法,包含有:提供一三维立体结构的本体;对本体进行表面脱脂及粗化处理;对本体表面进行金属化处理,沈积形成金属薄膜层;对金属薄膜层表面进行光阻涂布处理,形成光阻保护层;对光阻保护层进行曝光/显影处理,形成图案化光阻保护层;对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理,形成图案化线路层;剥除图案化线路层上的光阻保护层;对图案化线路层表面进行化学镀层处理,形成线路增厚层。如此即可在三维立体结构的本体上直接形成一立体布线的电路图案,而无须在本体上额外设置一电路载体,以满足轻、薄、短、小的需求。
申请公布号 TWI423751 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW100124160 申请日期 2011.07.08
申请人 联滔电子有限公司 香港;胡泉凌 发明人 胡泉凌;陈誉尉
分类号 H05K3/20;H05K3/22 主分类号 H05K3/20
代理机构 代理人 易定芳 台北市松山区八德路3段20号5楼之3
主权项
地址 新北市中和区秀朗路3段175巷16号11楼之1 TW 11F.-1, NO. 16, LANE 175, SEC. 3, SIOULANGRD., JHONGHE CITY, TAIPEI COUNTY 23581, TAIWAN (R. O. C.)