发明名称 使用无源极和汲极接面场效电晶体之基本互补式逻辑闸之构造及其制造方法
摘要 本发明提出一种使用无源极、汲极接面之场效电晶体之基本互补式逻辑闸之构造及其制造方法,于半导体晶圆(wafer)上,形成无源极和汲极接面之N通道电晶体及无源极和汲极接面之P通道电晶体,在电晶体间以导电之连接结构互相连接,形成基本互补式逻辑闸(如inverter,NAND,NOR等逻辑闸)。
申请公布号 TWI423426 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW099140070 申请日期 2010.11.19
申请人 国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 庄绍勋;谢易叡
分类号 H01L27/092;H01L21/8238 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人 苏翔 台北市大安区罗斯福路2段79之1号12楼之4
主权项
地址 新竹市大学路1001号