发明名称 光罩图案之形成方法、微细图案之形成方法及成膜装置
摘要 本发明系关于一种光罩图案之形成方法、微细图案之形成方法及成膜装置,系提供一种于图案有机膜形成矽氧化膜以形成微细图案时,可减少光阻图案的微细化(slimming)处理步骤,并降低制程成本之光罩图案的形成方法及微细图案的形成方法。其中系具有以下步骤:于半导体基板上形成薄膜之步骤、于薄膜上形成光阻膜之步骤、利用光微影技术将光阻膜加工成具有特定间距的光阻图案之图案加工步骤、对光阻图案的形状进行加工之形状加工步骤、以及供给来源气体与氧自由基或含氧气体,以在利用形状加工步骤来进行形状加工后之光阻图案及薄膜上形成氧化膜之成膜步骤。系于形成氧化膜之成膜装置内连续进行形状加工步骤与成膜步骤。
申请公布号 TWI422995 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW100130415 申请日期 2009.09.28
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 长谷部一秀;中岛滋;小川淳;村上博纪
分类号 G03F7/40;C23C16/02;C23C16/40 主分类号 G03F7/40
代理机构 代理人 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼
主权项
地址 日本