具有超陡峭接面之接面场效电晶体

摘要

一种接面场效电晶体(JFET)具有超陡峭(hyperabrupt)接面层，其作用为接面场效电晶体之通道。超陡峭接面层藉由两种相反类型之掺杂质轮廓来形成，使得一掺杂质轮廓于另一掺杂质轮廓之尾端具有尖峰浓度深度。通道之偏压是由与闸极掺杂有相同类型掺杂质之主体所提供。此对照于知接面场效电晶体具有与闸极掺杂有相反导电型掺杂质之主体。主体藉由形成于主体及基板间，或形成于主体下之埋式导体层及基板间之反向偏压接面，而可与基板电解耦。形成薄超陡峭接面层之能力容许接面场效电晶体形成于绝缘层上半导体基板。