| 摘要 |
本发明系提供一种金属用研磨液，其系半导体元件的化学机械性平坦化所使用的金属用研磨液，发现藉由含有至少1种由下述通式(I)至(III)中任一者所示四唑或三唑衍生物之化合物，具有迅速的化学机械性研磨速度，凹状扭曲(dishing)小、平坦性提高，且铜/钽选择性提高，能够作为制造LSI之金属用研磨液。;通式(I) 通式(II) 通式(III);式(I)中，Ra系表示选自由磺酸基、胺基、膦酸基(－PO3H2)、胺甲醯基(－CONRR’)、羧醯胺基(－NHCOR”)、胺磺醯基(－SO2NH2)、及磺醯胺基(－NHSO2R”)所组成群组中至少一种的取代基。;式(II)中，Rb系表示选自由羟基、羧基、磺酸基、胺基、膦酸基(－PO3H2)、胺甲醯基(－CONRR’)、羧醯胺基(－NHCOR”)、胺磺醯基(－SO2NH2)、及磺醯胺基(－NHSO2R”)所组成群组中至少一种取代基。Lb系表示二价的连结基。;式(III)中，Rc及Rd系各自独立地表示氢原子或取代基，且Rc及Rd之至少一者系表示羟基、羧基、磺酸基、胺基、膦酸基(－PO3H2)、胺甲醯基(－CONRR’)、羧醯胺基(－NHCOR”)、胺磺醯基(－SO2NH2)、磺醯胺基(－NHSO2R”)、或－La－Re。La系表示2价的连结基。Re系表示羟基、羧基、磺酸基、胺基、膦酸基(－PO3H2)、胺甲醯基(－CONRR’)、羧醯胺基(－NHCOR”)、胺磺醯基(－SO2NH2)、或磺醯胺基(－NHSO2R”)。;上述式中，R及R’系各自独立地表示选自氢原子、烷基及芳基之基。R”系各自独立地表示选自烷基及芳基之基。 |
