覆晶式氮化镓发光二极体之制造方法

摘要

本发明系揭露一种覆晶式氮化镓发光二极体之制造方法，系于磊晶层预设位置处蚀刻致使基板部分露出形成第一沟槽，且磊晶层另一预设位置再蚀刻致使N型氮化镓欧姆接触层部分露出之第二沟槽，该第一沟槽一侧之P型氮化镓欧姆接触层表面，依序形成有透光导电层、N型电极衬垫、第一绝缘保护层、金属反射层及第二绝缘保护层，而第一沟槽另侧之N型氮化镓欧姆接触层表面，则依序形成有透光导电层、N型电极衬垫、第一绝缘保护层及第二绝缘保护层，上述，不仅能使P型电极衬垫与N型电极衬垫呈一齐平而顺利电性连接于电路板，且因金属反射层不参与导电便能有效避免顺向电压的不当升高，藉以减少耗电量及热能，有效提升发光二极体的发光效率。