| 摘要 |
本发明揭示使用原子层沈积(ALD)形成钛钡氧化物(BaTiO3)之一经锆取代层来制作一可靠结构，该结构可用于各种各样的电子装置，例如非挥发性随机存取记忆体(NVRAM)中之介电质、用于多层陶瓷电容器(MLCC)、红外线感测器及光电调变器之可调整介电质。该结构系藉由下述方式形成：使用前驱化学物质在一基板表面上藉由ALD沈积钛酸钡与锆酸钡之交替层，并重复以形成一具有所期望厚度及组成之依序沈积的交错结构。此种层可作为一MOSFET之闸极绝缘体，或用作一电容器介电质。可藉由调整锆对钛之百分比来调整该介电质之性质，以使诸如介电常数、居里点(Curie point)、膜极化、铁电性质及所期望张弛振荡器响应等性质最佳化。 |
