具有渐变能隙结构之新绿能薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种高效率新型a-Si/c-Si之薄膜太阳能电池，其使用选自于由超晶格层、a-SiGe层、a-Si与μc-Si之混合层、及a-Si与poly-Si之混合层所构成的群组之至少一者来作为具有固定能隙之过渡层，或者是使用选自于由超晶格层、a-SiGe层、a-Si渐变为μc-Si之层、及a-Si渐变为poly-Si之层所构成的群组之至少一者来形成具有渐变能隙之过渡层，来取代知的多接面串叠型太阳电池中之n+/TCO/p+接面，使太阳能电池的整体能隙更平滑而降低载子被再结合的机率，其中藉由在成膜期间调整制程气体中之氢含量来形成a-Si与μc-Si之混合层、a-Si与poly-Si之混合层、a-Si渐变为μc-Si之层、或a-Si渐变为poly-Si之层。此外，藉由在a-Si/c-Si二层光吸收层结构中增加作为第3层光吸收层之μc-Ge层而成为a-Si/c-Si/μc-Ge三层光吸收层结构，能吸收太阳光谱中之长波长光，提升光吸收效果。