发明名称 具有背面P+掺杂层之背面受光影像感测器
摘要 本发明提供一种背面受光影像感测器,其包括一具有一P-型区的半导体层。一正面及背面P+掺杂层形成于该半导体层内。具有一光电二极体的一影像像素形成于该半导体层内,其中该光电二极体系在该半导体层的P-型区内、于该正面P+掺杂层与该背面P+层之间形成的一N-区。
申请公布号 TWI423433 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW098101260 申请日期 2009.01.14
申请人 豪威科技股份有限公司 美国 发明人 野崎秀俊;罗狄丝 霍华E
分类号 H01L27/146;H01L31/18 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国