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发明名称
微晶矽薄膜镀膜之生成方法及其生成装置
摘要
一种微晶矽薄膜镀膜之生成方法及其生成装置,系以永久磁铁型螺旋波电浆(Permanent Magnet Type Helicon Plasma)技术构装之生成装置,利用永久磁铁型螺旋波电浆源高密度电浆之特性,可使制程所需之氢气稀释比相当低,在搭配本发明生成方法镀制微晶矽薄膜下系具有快速、低温且可应用于大面积沉积之功效,可在基板表面进行大面积之微晶矽薄膜沉积。
申请公布号
TWI423461
申请公布日期
2014.01.11
申请号
TW097135908
申请日期
2008.09.18
申请人
行政院原子能委员会 核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号
发明人
曾士诚;谢政昌;詹德均;艾启峰
分类号
H01L31/18
主分类号
H01L31/18
代理机构
代理人
欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址
桃园县龙潭乡文化路1000号
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