发明名称 微晶矽薄膜镀膜之生成方法及其生成装置
摘要 一种微晶矽薄膜镀膜之生成方法及其生成装置,系以永久磁铁型螺旋波电浆(Permanent Magnet Type Helicon Plasma)技术构装之生成装置,利用永久磁铁型螺旋波电浆源高密度电浆之特性,可使制程所需之氢气稀释比相当低,在搭配本发明生成方法镀制微晶矽薄膜下系具有快速、低温且可应用于大面积沉积之功效,可在基板表面进行大面积之微晶矽薄膜沉积。
申请公布号 TWI423461 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW097135908 申请日期 2008.09.18
申请人 行政院原子能委员会 核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 发明人 曾士诚;谢政昌;詹德均;艾启峰
分类号 H01L31/18 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号